Вы зашли как: Гость
[ Тематический каталог сайтов · Доска Объявлений ]
[ Новые сообщения · Поиск по форуму · Участники · Статистика · Правила форума · RSS ]
  • Страница 1 из 1
  • 1
Форум » Акустика и Аппаратура » Усилители » FAQ по транзисторам
FAQ по транзисторам
Bobby_IIДата: Воскресенье, 25.11.2012, 13:19 | Сообщение # 1
Группа: Проверенные
Сообщений: 5522
Статус: Offline
Страна: Российская Федерация
Город: Санкт-Петербург
Заинтересовался данным вопросом т.к. во-первых не понимаю в чем разница между ПолевымиТранзисторами (ПТ), которые обозначаются с непрерывной и прерывистой линиями канала. Во-вторых, слышал но не знал, что такое IGBT, не понимаю, чем отличаются аудио-ПТ от переключающих, что такое VFET, "латералы", "гексагоны"... ? Вопросов много и они вполне ламерские. Чтобы не просто задавать вопросы, решил "пошерстить" википедию.
Как пел Др.Лебединский
"помню есть поэт Гомер
помню U=I*R"
Биполярные транзисторы "обойдем".
Так вот помню, что есть полевые транзисторы FET Field Effect Transistor с затвором на pn-переходе. Окакзывается, они называются JFET or JUGFET - junction gate field-effect transistor http://en.wikipedia.org/wiki/JFET и есть с изолированным затвором (оказывается они называются не MOSFET Metall-Oxid-Semiconductor FET, а MISFET is a metal–insulator–semiconductor field-effect transistor MISFET так и переводится - полевой транзистор с изолированным затвором. Т.е. МОСФЕТ - разновидность MISFET с изолятором на основе диоксида кремния. Как говорится, "Если всякий Гоги - грузин, то не всякий грузин - Гоги".

А классификация самих FET транзисторов чем-то напоминает анекдот про богатство природы Урала, насчитывающей почти 10тыс. видов. Одних только комаров 7 тыс. видов.
ПТ могут быть с обедненной (depleted) подложкой и enh

Список сокращений, чтобы не пугаться и не думать, "что за зверь такой"

JFET or JUGFET - junction gate field-effect transistor. Обычные биполярные транзисторы.
MESFET (Metal–Semiconductor Field-Effect Transistor) разновидность p-n перехода JFET с барьером Schottky; используются с GaAs и др. III-V полупроводниками.

ChemFET chemical field-effect transistor - МОСФЕТ транзисторы, заряд на затворе которых определяется химическими процессами.
ISFET ion-sensitive field-effect transistor перевода не требует
EOSFET electrolyte-oxide-semiconductor field effect transistor вместо металла в качестве затвора используется электролит.
CNTFET Carbon nanotube field-effect transistor
DEPFET ПТ с полностью обедненной подложкой и используются как сенсоры, усилители и ячейки памяти одновременно :-). Может быть использован как датчик фотонов.
DGMOSFET ПТ с двумя затворами.
DNAFET специальный FET используемый как биосенсор, с затвором из 1й ДНК молекулы чтобы определять соотв. нить ДНК.
FREDFET (Fast Reverse or Fast Recovery Epitaxial Diode FET) специальные ПТ, разработанные для обеспечения сверхбыстрого закрытия встроенного диода (is a specialized FET designed to provide a very fast recovery (turn-off) of the body diode)???
HEMT(high electron mobility transistor) или HFET(heterostructure FET) ПТ с высокой подвижностью зарядов, гетероструктурные (шестигранные) FET, далее - непереводимая игра слов: "can be made using bandgap engineering in a ternary semiconductor such as AlGaAs". Изолятор затвора формируется из полностью обедненного материала с большой шириной запрещенной зоны.
HIGFET (heterostructure insulated gate field effect transisitor), гетероструктурные MISFET используются в основном в исследовательских целях ...???
MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) Использует квантовую структуру, сформированную градиентным легированием активной области.
MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor) использует изолятор обычно SiO2 между затвором и каналом.

NOMFET is a Nanoparticle Organic Memory Field-Effect Transistor Память на основе Органических наночастиц
OFET is an Organic Field-Effect Transistor канал из органического полупроводника.
GNRFET is a Field-Effect Transistor that uses a graphene nanoribbon for its channel. С каналом из графеновой пленки.
VFET Vertical Field-Effect Transistor, вертикальный полевой транзистор, полевой транзистор с вертикальной структурой, полевой транзистор с вертикальным каналом
VeSFET (Vertical-Slit Field-Effect Transistor) is a square-shaped junction-less FET with a narrow slit connecting the source and drain at opposite corners. Two gates occupy the other corners, and control the current through the slit... Переводится примерно так: квадратной формы, без перехода с близким расположением истока и стока на противоположных углах. 2 оставшихся угла - затворы, которые контролируют "зазор". slit - зазор.
TFET (Tunnel Field-Effect Transistor) основан на эффекте тунеллирования ... из полосы в полосу.

IGBT (insulated-gate bipolar transistor) у-во для контроля мощности. Представляет из себя гибрид полевика с проводящим каналом как у биполярного тр-ра. Обычно используются для напряжений 200-3000V сток-исток. Мощные MOSFETs обычно используются до 200 V.


хм ... оказывается, есть еще какие-то "Point Contact Transistor" http://www.pbs.org/transistor/science/events/pointctrans.html
а биполярные называются "Junction ("Sandwich") Transistor".

Добавлено (25.11.2012, 12:36)
---------------------------------------------
Так вот остаются вопросы:
- чем отличаются транзисторы с обедненной и обогащенной подложками?
- чем отличаются аудио транзисторы от переключательных? И почему переключательные плохи в аудио?
- чем так хороши "латералы", т.е. транзисторы с "боковым" каналом по отношению к остальным?
- какие еще есть? Чем хороши?

У ПТ 2 зоны работы: Триодная и Насыщения, когда ПТ работает как ИТ, причем весьма стабильный :-).

Добавлено (25.11.2012, 13:19)
---------------------------------------------
http://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-структура
Тип канала
Наиболее распространены транзисторы с индуцированным каналом (англ. enhancement mode transistor): у них канал закрыт при нулевом напряжении исток-затвор. Именно их имеют в виду, когда не упоминают тип канала.

Гораздо реже встречаются транзисторы со встроенным каналом (англ. depletion mode transistor): у них канал открыт при нулевом напряжении исток-затвор.

Прикрепления: 0032789.png(40.7 Kb) · 2319874.png(160.0 Kb) · 1062904.png(163.1 Kb) · 8629182.png(290.9 Kb)


я понимаю что вам нечем,
но всё-ж попробуйте понять!!!
Bobby_IIДата: Воскресенье, 25.11.2012, 13:25 | Сообщение # 2
Группа: Проверенные
Сообщений: 5522
Статус: Offline
Страна: Российская Федерация
Город: Санкт-Петербург
Вики о транзисторах:
http://ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор
Прикрепления: 1427822.png(6.7 Kb)


я понимаю что вам нечем,
но всё-ж попробуйте понять!!!
Konstantin740iLДата: Воскресенье, 25.11.2012, 14:06 | Сообщение # 3
Группа: Проверенные
Сообщений: 525
Статус: Offline
Страна: Украина
Город: Czernowitz
Я вечером объясню.

Mit Freundlichen Grüßen, Konstantin
ParusДата: Суббота, 06.09.2014, 15:01 | Сообщение # 4
Группа: Проверенные
Сообщений: 1
Статус: Offline
Страна: Российская Федерация
Город: Санкт-Петербург
Может быть не совсем по теме, но не подскажите ли, как называется транзистор (предположительно полевой)?
(прикрепл)

Очень нужно понять.. Транзистор утерян. Выполнял роль предусилителя в конденсаторном микрофоне, нагруженным на обмотку трансформатора, сопротивлением 120 ом, и питанием 12 в.

Заранее Всем Большое Спасибо!
Прикрепления: 2048132.jpg(205.7 Kb) · 7830085.jpg(115.5 Kb)
Форум » Акустика и Аппаратура » Усилители » FAQ по транзисторам
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск: